Galaxy S9 и S9+ могут выйти в версиях с 512 ГБ встроенной памяти, передает phoneArena со ссылкой на заявление вице-президента Samsung Electronics Джису Хана. По его словам, южнокорейский производитель готов к выпуску первой партии флеш-чипов стандарта eUFS соответствующего объема для применения в будущих смартфонах.
«Новые чипы стандарта eUFS объемом 512 ГБ — это лучшее решение для премиальных смартфонов нового поколения, — говорит Джису Хан. — Они позволяют преодолеть ограничения, накладываемые картами MicroSD, и гарантируют сохранность записанных данных без ущерба для производительности».
Прежде чем приступить к производству комплектующих для смартфонов нового поколения, Samsung сделала почти невозможное, уместив восемь чипов общим объемом 512 ГБ в корпусе 256-гигабайтного накопителя. Скорость, которую такие чипы развивают при чтении и записи информации, может достигать 860 и 255 МБ/с соответственно.
Прежде Samsung старательно избегала флеш-чипов с объемом 256 ГБ. Флагманские смартфоны компании оснащались 64 или 128 ГБ встроенной памяти. Свое нежелание комплектовать фирменные решения большим объемом памяти в Samsung объясняли наличием слота MicroSD с поддержкой карт памяти объемом до 2 ТБ.
