Samsung не успела представить еще даже Galaxy Note 8, а в Сети уже появилось первое сообщение о том, чем станет отличаться Galaxy Note 9. Модели флагманских линеек Galaxy S и Galaxy Note одного года выпуска обычно подобны друг другу по производительности. Но в 2018 году компанией может быть применен совершенно новый, ранее не свойственный флагманским девайсам Samsung технический подход.
Традиционно южнокорейский технологический гигант выпускает модели Galaxy S и Galaxy Note в течение одного календарного года и на базе подобных чипсетов. Так было до сих пор и так, вероятно, будет еще и в 2017 году. Как сообщается со ссылкой на «одного инсайдера индустрии», Samsung Galaxy Note 9 станет базироваться на совершенно ином чипсете, чем Galaxy S9 и Galaxy S9 Plus, которые также увидят свет в 2018 году. Ожидается, что чипсетом моделей Galaxy S9 станет Exynos 9810, который изготовят в соответствии с 10-нанометровым технологическим процессом.
Тем временем аппаратная платформа Galaxy Note 9 будет изготовлена уже в соответствии с более прогрессивным технологическим процессом — 8-нанометровым или даже 7-нанометровым. Согласно сообщению того же «инсайдера», название «Exynos 9810» не является окончательным и может измениться во время коммерческого дебюта чипа — весной 2018 года.
Ранее в июне 2017 года со ссылкой на другой «источник» уже сообщалось, что чипсет Exynos 9810, которым оснастят Galaxy S9 и Galaxy S9 получит поддержку CDMA. Рассматриваемая аппаратная платформа, как ожидается, станет вторым чипсетом компании Samsung, изготавливаемым в соответствии с 10-нанометровым технологическим процессом FinFET. Но не исключается, что именно он станет и последним таким чипом, поскольку и Qualcomm и TSMC работают над 7-нанометровыми чипсетами и лидер рынка Android-смартфонов, которым не первый год является компания Samsung, разумеется, также не пожелает отставать.
7-нанометровый технологический процесс позволит разместить на единицу площади больше транзисторов, чем 10-нанометровый. Это означает, что 7-нанометровое «железо» (вернее, «кремний») окажется более эффективным. Остается лишь посмотреть, перейдет ли компания Samsung от 10-нанометрового технологического процесса к 7-нанометровому в течение одного лишь 2018 года. Впрочем, даже применение в грядущем фаблете Galaxy Note 9 «8-нанометрового» чипсета будет означать, что новое сообщение оказалось верным.
Согласно существующим на данный момент в Сети слухам, версия Galaxy Note 8, который будет выпущен уже в текущем году, для рынка Соединенных Штатов станет базироваться на чипсете Snapdragon 836, который заменит Snapdragon 835, нашедший себе применение в смартфонах модельного ряда Galaxy S8.
При этом сообщается, что обе линейки будут характеризоваться примерно одинаковой производительностью, подобно тому, как это и было в предшествующие годы, когда южнокорейский технологический гигант также радовал пользователей флагманскими девайсами двух своих наиболее известных линеек.
Если же в следующем году Galaxy Note 9 будет укомплектован чипсетом, изготовленным в соответствии с более прогрессивным технологическим процессом, чем модели линейки Galaxy S9, то подобное решение, весьма вероятно, приведет к тому, что между моделями линеек Galaxy S и Galaxy Note одного года выпуска станет наблюдаться заметное различие в производительности.
Является ли для пользователей «нанометровый» показатель технологического процесса чипсета важной характеристикой смартфона?
По материалам androidheadlines.com
