Грядущий Snapdragon — производительность протестирована

На рынке представлен огромный ассортимент Android-смартфонов, многие из которых базируются на чипсетах Snapdragon от компании Qualcomm. Недавно известнейшим чипмейкером был представлен новый флагманский чипсет Snapdragon 855, которому предстоит найти себе применение в топовых смартфонах 2019 года. Но, помимо флагманов, немало и других умных телефонов и для них Qualcomm также готовит весьма впечатляющие чипы, производительность одного из которых была протестирована и оказалась (в одном из тестов) близкой к мобильной платформе флагманов текущего года — Snapdragon 845.

Грядущий Snapdragon — производительность протестирована. Фото.

Чипсет Snapdragon SM6150 показался в бенчмарке Geekbench. Он укомплектован восьмиядерным центральным процессором и, вероятно, речь идет о мобильной платформе линейки 600 — Snapdragon 6150, но под каким названием она выйдет на рынок — станет известно только в ходе ее презентации. О ядрах центрального процессора бенчмарк смог рассказать очень немногое. Отмечается лишь тактовая частота — 1,8 гигагерца. Предположительно ею характеризуются энергоэффективные ядра процессора, отмечает, рассматривая новое сообщение, Питер (Peter) на страницах ресурса gsmarena.com.

Snapdragon 6150 в одноядерном тестировании сопоставим со Snapdragon 845

Грядущий Snapdragon — производительность протестирована. Snapdragon 6150 в одноядерном тестировании сопоставим со Snapdragon 845. Фото.

Производительность нового процессора в одноядерном тестировании, которая характеризует одно из высокопроизводительных ядер, сопоставима со Snapdragon 845, в котором нашли себе применение ядра Kryo 385 Gold, тактовая частота которых достигает 2,8 гигагерца.

Грядущий Snapdragon — производительность протестирована. Snapdragon 6150 в одноядерном тестировании сопоставим со Snapdragon 845. Фото.

Производительность Snapdragon 6150 в многоядерном тестировании ближе к Snapdragon 710 и это может означать, что вероятная конфигурация ядер центрального процессора рассматриваемого чипсета — 2 высокопроизводительных ядра + 6 энергоэффективных ядер. Следует отметить, что в данном случае наиболее вероятным представляется — тестирование производилось с использованием референсного дизайна, то есть устройства, собранного специально для тестирования чипсета.

Обсудить показанный чипсет Snapdragon 855 и другие чипсеты от Qualcomm, а также смартфоны, которые оснащены ими, читатели могут в Telegram-чате.

Теги
Лонгриды для вас
Xiaomi представила HyperOS 3 с интеграцией iOS. Что еще интересного, и когда ждать

Xiaomi представила свою новую операционную систему HyperOS 3, основанную на Android 16, которая принесла ряд значительных улучшений как в плане производительности, так и в пользовательском опыте. Основу обновления составляет комплексная оптимизация, благодаря которой нагрузка на центральный процессор снижена примерно на 10%, а энергоэффективность повышена на 4%. И это только за счет операционной системы. Вучит хорошо. Тем более, там есть и другие нововведения, о которых стоит поговорить более подробно.

Читать далее
Новый уровень рекламы. Скоро вы сами будете демонстрировать и расхваливать себе товары

Технологии искусственного интеллекта проникают в нашу жизнь все глубже, и не всегда это идет на пользу пользователям. Американский стриминговый провайдер DirecTV объявил о планах внедрения персонализированной рекламы нового уровня — системы, которая будет создавать AI-аватары зрителей и показывать их на экране телевизора в рекламных целях. Звучит жутковато, согласитесь.

Читать далее
Почему смартфоны с батареей на 20 000 мА*ч есть только у ноунеймов, а популярные бренды их не делают

Мы любим рассуждать об автономности современных гаджетов и возмущаться тем, что производители упорно не хотят выпускать смартфоны с большими батареями. Вот только не все задумываются, чем в таком случае пришлось бы пожертвовать и компаниям, и самим пользователям. И всего-то ради нескольких дополнительных часов работы от одного заряда. В Samsung наглядно показали, почему смартфоны от топовых брендов до сих пор топчутся в районе 5000 мА*ч.

Читать далее
Новости партнеров