Samsung является не только ведущим производителем Android-смартфонов, но и крупнейшим игроком на рынке полупроводников, без которых современные девайсы немыслимы. Компания стремится разработать 4-нанометровый технологический процесс для умных девайсов и 18-нанометровый технологический процесс нового типа для Интернета вещей. Компания провела мероприятие, на котором было рассказано не о ярких новинках, а о тех вещах, которые делают мощные смартфоны возможными.
В ходе ежегодного форума Samsung Foundry Forum 2017 компания Samsung сообщила о том, что 8-нанометровый технологический процесс LPP (Low Power Plus, со значительно сниженным энергопотреблением) будет предложен в качестве наиболее конкурентоспособного технического решения еще до перехода на процесс EUV (Extreme Ultra Violet). 7-нанометровый технологический процесс будет первым техническим решением, изготавливаемым с применением метода «ультрафиолетовой литографии». В настоящее время он уже разрабатывается южнокорейским технологическим гигантом совместно с нидерландской компанией ASML.
Применение 7-нанометрового технологического процесса, когда оно состоится, станет значимым событием для производителей полупроводниковой продукции, как, впрочем, и в истории технологий в целом, поскольку оно преодолевает барьер, известный как «закон Мура». Согласно этому наблюдению, количество транзисторов, которые располагаются на кристалле интегральной микросхемы, удваивается каждые 24 месяца.
Впрочем, зачастую указывается временной интервал в 18 месяцев, который относится уже к прогнозу Дэвида Хауса из компании Intel, согласно которому производительность процессоров должна удваиваться каждые 1,5 года, что связано не только с увеличением числа транзисторов, но и с ростом быстродействия каждого из новых транзисторов.
Рассматриваемая инновация Samsung открывает путь к технологическим процессам 6LPP, 5LPP и 4LPP. 4-нанометровый технологический процесс 4LPP станет первым в архитектуре девайсов нового поколения — MBCFET (Multi-Bridge Channel FET). В этой архитектуре будут преодолены ограничения физической шкалы и производительности, свойственные текущей архитектуре FinFET.
Компания Samsung также анонсировала разработку 18-нанометровой технологии FD-SOI для устройств Интернета вещей. По сравнению с 28-нанометровым технологическим процессом FDS для подобных девайсов новая технология принесет с собой целый ряд улучшений, касающихся энергоэффективности, размеров и производительности.
О 7-нанометровых чипах сообщалось и ранее. Их производство методом EUV («ультрафиолетовой литографии») может начаться в 2018 году. Появление в начале 2018 года 7-нанометровых чипсетов может предполагать их использование во флагманах Samsung Galaxy S9, кодовые названия которых, предположительно, стали известны недавно.
Не исключается, что Apple iPhone 9, который увидит свет в следующем году, также будет базироваться на 7-нанометровом чипсете на основе полупроводников TSMC, которая, как сообщалось, планировала начать во втором квартале текущего года производство своих 7-нанометровых чипов.
Чем меньше показатель технологического процесса, тем больше полупроводников можно разместить на чипе. Совершенствование технологического процесса ведет также к снижению энергопотребления, тепловыделения и производственных затрат, что, несомненно, благоприятно отражается на характеристиках тех мобильных девайсов, которые предлагаются потребителям.
На сегодняшний день наиболее прогрессивен 10-нанометровый техпроцесс, уже нашедший себе применение во флагманских смартфонах текущего года, которые базируются на чипсетах Snapdragon 835 и Exynos 8895, который предназначен не только для смартфонов, но и для автомобилей. К числу этих смартфонов относятся и Samsung Galaxy S8. Представленный на MWC 2017 чипсет Helio X30 с 10-ядерным центральным процессором также основан на 10-нанометровом технологическом процессе.
Во флагманах каких компаний, по вашему мнению, 7-нанометровый техпроцесс будет применяться уже в 2018 году?
По материалам news.samsung.com и gsmarena.com
Samsung 100%
Во всех, скорее всего. По идее, и Samsung и TSMC в 2018 году должны начать серийное производство микросхем по 7-нм техпроцессу.