Компания NEO Semiconductor объявила о предстоящей демонстрации трёх инновационных технологий, которые могут произвести настоящую революцию в производстве оперативной памяти DRAM. Разработки обещают создать самую плотную, быструю и даже частично энергонезависимую память в мире. Впервые концепция 3D DRAM была представлена в августе 2023 года, а теперь эволюционировала в три различные версии технологии. Остается только понять почему несмотря на потенциальный прорыв, ведущие мировые производители памяти пока воздерживаются от внедрения этой разработки.
Новая оперативная память может поменять все. Изображение: TechSpot
Самая эффективна оперативная память
Ключевой инновацией NEO Semiconductor стало вертикальное размещение ячеек памяти DRAM, аналогично технологии, применяемой при производстве флеш-памяти 3D NAND. Это решение позволяет достичь беспрецедентной плотности хранения данных. Разработчики заявляют о возможности создания чипов DRAM с плотностью 512 Гбит, что более чем в 10 раз превышает показатели современных массовых образцов памяти.
Не забывайте о нашем Дзен, где очень много всего интересного и познавательного!
Помимо увеличения ёмкости, повышение плотности памяти ведёт к существенному снижению относительного энергопотребления. В текущих условиях это преимущество не менее важно, чем наращивание объёмов памяти.
На предстоящей выставке IEEE, которая пройдёт с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее (Калифорния, США), компания NEO Semiconductor представит три новые архитектуры ячеек DRAM, оптимизированных для производства стековым методом:
- Ячейки 1T1C (один транзистор и один конденсатор) — классическая архитектура DRAM
- Ячейки 3T0C (три транзистора без конденсатора)
- Ячейки 1T0C (один транзистор без конденсатора)
Примечательно, что все или некоторые из этих архитектур используют для транзисторных каналов материал IGZO (оксиды индия-галлия-цинка), ранее известный по применению в тонкоплёночных транзисторах для дисплеев с высоким разрешением, но низким энергопотреблением.
Присоединяйтесь к нам в Telegram!
Что такое IGZO в оперативной памяти
Материал IGZO, который активно разрабатывала компания Sharp, обеспечивает повышенную мобильность электронов без увеличения рабочих токов. Логично предположить, что оперативная память с IGZO-транзисторами унаследует эти качества, предлагая улучшенные показатели быстродействия и энергоэффективности.
Искусственный интеллект с новой памятью сможет развиваться быстрее.
По данным разработчиков, ячейки 1T1C и 3T0C способны сохранять информацию без подачи питания до 450 секунд, что значительно снизит энергозатраты на регенерацию данных. Скорость доступа к такой памяти может достигать впечатляющих 10 наносекунд.
Если ищите что-то интересное на AliExpress, не проходите мимо Telegram-канала "Сундук Али-Бабы"!
Когда появится новый тип оперативной памяти
Несмотря на революционные характеристики, пока все данные остаются расчётными. Первые реальные образцы новой памяти ожидаются только в 2026 году. Для массового внедрения технологии необходим интерес со стороны крупных производителей, таких как Samsung, SK Hynix или других лидеров индустрии.
В условиях растущего спроса на вычислительные мощности для искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений и других требовательных задач, мир как никогда нуждается в высокоплотной и экономичной оперативной памяти. Технология NEO Semiconductor может стать именно тем прорывом, который ждёт индустрия.
