Не так давно представители компании Qualcomm сообщили о том, что образцы Snapdragon 835 уже поставляются некоторым пользователям, в то время как сам чип будет создаваться по 10-нанометровому техпроцессу на заводах Samsung. Релиз первых устройств с ним намечен на первую половину следующего года. И хотя ждать этого осталось достаточно долго, узнать некоторые особенности новинки благодаря её попаданию в бенчмарк GFXBench можно уже сейчас.
Генеральный директор исследовательской компании IHS Кевинг Вонг уверен, что первыми устройствами под управлением Snapdragon 835 станут Xiaomi Mi 6 и Samsung Galaxy S8. К слову, последний скорее всего лишится физической кнопки «Домой», 3,5-миллиметрового разъёма для наушников и технологии PenTile.
Компенсировать подобные потери смартфон будет вынужден своей производительностью. Как сообщают представители ресурса phonearena, накануне в GFXBench был протестирован Snapdragon 835, работающий на тактовой частоте 2,2 ГГц.
Результаты трудно назвать подробными, однако и они впечатляют. В частности, новый графический процессор Adreno 540 продемонстрировал 30-процентный прирост производительности в сравнении с 530 моделью, которая находится внутри OnePlus 3T.
Немаловажным является и возможное уменьшение энергопотребления. Случится это благодаря особенностям 10-нанометрового процесса.
В целом нас ждёт традиционное улучшение параметров и показателей работы. Планируете ли вы покупать новую «Галактику»? Поделитесь своими ответами в комментариях.
